项目推介 | 新一代二维半导体资料的研发与产业化
文章起源：新宝GG工厂 | 颁布功夫：2025-06-18
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项目介绍
（一）项目简介
该项目依附科研院所专家团队研发，致力于突破硅基晶体管物理极限，推动二维半导体资料产业化发展 。项目创新性地开发晶圆级二维资料成长设备与低温表延工艺，解决传统半导体资料在1nm以下技术节点的机能瓶颈 。通过自主研造的原位显微监控系统、晶圆级严格单层薄膜造备技术，实现二维半导体资料在逻辑器件、存算一体芯片、三维集成等领域的利用 。
（二）主题技术
原位成长监控技术：建设独家显微监控系统，实时反馈原子层厚度成长状态，薄膜均匀性达晶圆级（2-12英寸），缺点浓度低于0.1/cm? 。
低温表延工艺（LPEE）：开发400℃低温表延设备，兼容硅基产线，实现二维资料与硅基芯片的三维集成，相较传统高温工艺能耗降低60% 。
三维堆叠集成技术：支持CFET（互补场效应晶体管）等先进结构，28nm 3D芯片机能等效现有3nm芯片，集成密度提升100倍 。
多场景利用技术：覆盖逻辑芯片（1nm节点）、存算一体芯片（IEDM20-897验证）、柔性器件（弯曲半径<3mm）及量子推算（超导结造备）等前沿领域 。
（三）市场利用远景
需要领域：
集成电路：全球1nm及以下节点芯片市场2028年达千亿规模（IEEE路线图预测）
光电探测：柔性光电探测器市场规模年增35%（Nature数据）
量子推算：二维超导资料需要增快超50%（Nature Materials 2022验证）
市场潜力：
设备端：二维成长设备全球年需要1.6万台（2026年市场规模160亿元）
资料端：12英寸晶圆2030年市场规模超1000亿元（全球晶圆年需要1亿片）
对标进展：台积电2D FET机能超硅基30%（IEEE TED 2022）、Intel晶圆级器件良率突破95%（IEDM21）
产业化进展
该项目处于产业化阶段
产品研发与验证：原位CVD设备，首套FE-900设备已实现销售；检测设备已签定意向订单；2英寸晶圆产品实现销售 。
知识产权布局：已授权发现专利晶圆成长设备、表延工艺等10项 。
团队介绍
团队主题成员来自有关领域科研院所，致力于二维半导体资料钻研，持久从事纳电子器件造备与丈量钻研 。已颁发高水平SCI论文100余篇，申请专利10项 。主题技术蕴含二维半导体液相边缘表延成长技术、高温原位显微监控技术、晶圆检测技术等，可实现高质量、大面积的资料造备，以及高精度、多职能的检测解决规划 。项目还占有先进的晶圆检测技术储蓄，可能提供针对国内高端资料与检测设备依赖进口的痛点的自主可控解决规划 。
项目优势分析
技术壁垒：唯一实现12英寸单晶晶圆造备（2027年规划）低温工艺温度比竞品低200℃（传统工艺≥600℃）；
成本优势：设备单价200万（国际竞品500万+），晶圆成本<1000/片（硅基3nm晶圆1.5万/片）；
验证背书：原型器件获Science（2016）、Nature（2019）刊载；存算一体芯片机能超硅基1000倍（IEDM20数据）；
产业协同：与中芯国际结合开发3D集成工艺，兼容现有28nm产线 。
合作需要
设备结合开发：面向半导体设备厂商，提供定造化成长/检测设备技术授权；
晶圆代工合作：与Foundry厂共建二维资料特色工艺产线
战术投资：盛开Pre-A轮融资（指标1000万元），用于12英寸设备研发
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（文字：新宝GG工厂 产业推进中心 编纂：卢晔 审核：娄雪松）
